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[공학,기술] 반도체공정 實驗 - Cleaning & Oxidation

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작성일 21-09-21 18:32

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2) QDR (Quick Drain Rinse)
- DI 용액을 이용하여 헹군다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 alteration(변화) 에 어떤 影響(영향)을 주는지 확인하여본다. 이 때 세정되는 표면의 특성(特性)이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에
따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.
순서
실험결과/기타
實驗(실험) 1 : Cleaning & Oxidation

1. 實驗(실험) 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다.

2. 實驗(실험) 방법
가. 實驗(실험) 변수
Wafer
Oxidation temperature
Oxidation time
Si (100)
p-type, 1~10 Ωcm
1000℃
2 hours
4 hours
6 hours

나. 實驗(실험) 준비물
BOE, DI water, Tweezer, Teflon beakers, Safety gadgets, Tube furnace, ellipsometer,
Si(100) wafer:p-type 시료
다.
3) Spin Dryer
- 30분 동안 700rpm 속도로 회전시켜 Wafer 표면의 물기를 완전히 제거한다.
4) 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태 확인
- 물방울을 떨어뜨려 표면과의 각도를 측정(測定) 한 후 BOE cleaning전에 측정(測定) 한 각도와
비교한다. 實驗(실험) 과정
1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의
표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다.( :계면활성제)
- Wafer를 BOE 용액(NH4F:H2O:계면활성제)에 30분 동안 담근다.
Oxidation은 1000도에서 진행되며 2시간, 4시간, 6시간 세 번 진행…(To be continued )

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다.
5) Wet oxidation
- Vertical Tube Furnace를 이용하여 Wet oxidation을 실시한다.

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