[Engineering,기술] 반도체Engineering 實驗(실험) - Annealing(Silcidation)
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작성일 21-09-21 19:47
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온도가…(省略)
[Engineering,기술] 반도체Engineering 實驗(실험) - Annealing(Silcidation)
[공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation) , [공학,기술] 반도체공학 실험 - Annealing(Silcidation)기타실험결과 , 공학 기술 반도체공학 실험 Annealing Silcidation
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설명
[Engineering,기술] 반도체Engineering 實驗(실험) - Annealing(Silcidation)
순서
공학,기술,반도체공학,실험,Annealing,Silcidation,기타,실험결과
실험결과/기타
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다. 실험 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.
3) 어닐링을 마친 3개의 시편을 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정(測定) 한다. 실험 과정
1) Ni이 증착된 P-type Si wafer를 3개 준비한다.(증착된 두께는 모두 같아야 한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정(測定) 하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. 먼저, 600℃와 700℃에서는 저항 값이 184.73과 195.27로 측정(測定) 되었고, 800℃에서는 573.47로 측정(測定) 되었다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다. 어닐링 시간을 40초로 고정하고 온도를 600℃, 700℃,
800℃로 변화 시켰을 때 실리사이드 층의 면저항을 측정(測定) 하여 온도에 따라 어떻게 변화하는지
알아본다.
3. 결과 및 고찰
표 1 실험 결과
1회
2회
3회
평균(average)
600℃
184.4
186.5
183.3
184.73
700℃
192.1
202.8
190.9
195.27
800℃
460.5
630.3
629.6
573.47
(단위 : Ω/cm2)
실험 결과는 예비 report를 쓸 때 예상한 결과와 비슷한 경향을 보였다.(증착된...
실험: Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Metal deposition’을 실시한 후 실리콘 기판 위에
규소화합물(Silicide)를 구성하기 위하여 내열성 금속과 실리콘을 합금하는 과정을 실시한다. Ni-Silicide는 annealing time에 따라 결합 형태를 달리해서 저항이 달라지는데, 400~700℃에서는 Ni-Si의 결합을 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 실험 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다.
이 때 RTP를 통해 어닐링을 실시한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
Wafer
Annealing temperature
Annealing time
Ni / Si (100)
600 ℃
40 sec
700 ℃
800 ℃
나. 실험 준비물
RTP, Four point probe, Ni / Si (100) wafer poeces
다.)
2) Wafer를 급속 열처리 장치(RTP)를 이용하여 600℃ , 700℃, 800℃의 온도에서
40초간 열처리한다.
